特許
J-GLOBAL ID：200903089908335038
高周波用半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-342296
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186268
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】従来の高周波用半導体装置においては、反射損、放射損が発生したり、、高周波領域で透過損失が急激に大きくなる等信号を特性劣化無しで伝送することが非常に困難であり、小型化も難しかった。【解決手段】誘電体材料からなる絶縁基板2と蓋体3により形成されるキャビティ4内部に半導体素子5や回路部品が搭載された半導体装置1において、キャビティ4内部の絶縁基板2の表面に半導体素子5に給電するための第1の高周波用伝送線路8と、絶縁基板2内に形成されたアース層6と、絶縁基板2の底面に形成された第2の高周波用伝送線路10を具備するとともに、伝送線路8と伝送線路10とをアース層6に形成されたスロット孔11を介して電磁結合し、第2の伝送線路10の一部に接続端子16を形成し、接続端子16により外部回路基板に直接半田実装する。
請求項（抜粋）：
誘電体材料からなる絶縁基板と蓋体により形成されるキャビティ内部に半導体素子が搭載された半導体装置において、前記キャビティ内部の前記絶縁基板の表面に、前記半導体素子と電気的に接続された第1の高周波用伝送線路と、前記絶縁基板の底面に第2の高周波用伝送線路とを、前記絶縁基板を介して対峙する位置に形成して電磁結合させるとともに、前記第2の高周波用伝送線路の一部に外部回路基板に直接半田実装可能な接続端子を形成したことを特徴とする高周波用半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 301
, H01L 23/12
H01L 23/12 301 C
, H01L 23/12 301 L
