半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276096
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125090
出願日： 1992年10月14日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【構成】駆動回路用トランジスタのゲート電極が、互いに接続されたフローティングゲートとコントロールゲートと同一の層で形成されていて、ゲート電極のコンタクトホールの下で互いに接続させる。または素子分離領域上で互いに接続させる。または市松模様に除去されたフローティングゲート及びコントロールゲート間絶縁膜を介して互いに接続させる。【効果】駆動回路用トランジスタとメモリセルと同時にエッチングできかつエッチング面積が広くなり、エッチング装置がエッチングの終了を感知しやすくなる。接続穴を形成するための特別な面積は必要としない。

請求項（抜粋）：

フローティングゲートとコントロールゲートとを有するMOS型トランジスタ構造をなし、前記フローティングゲートへの電荷の注入状態の如何によって、前記コントロールゲートの前記MOS型トランジスタの特性の制御しきい値電圧が変化する半導体装置において、前記MOS型トランジスタの駆動回路用トランジスタのゲート電極は、前記ゲート電極のコンタクトホールの下で前記フローティングゲートと前記コントロールゲートを互いに接続し、かつ前記フローティングゲートと前記コントロールゲートと同一の層で形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-001176
特開平3-283570
特開昭63-025978

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