特許
J-GLOBAL ID：200903089912886030

薄膜デバイスの剥離方法、薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、アクティブマトリクス基板および液晶表示装置

発明者：
井上 聡

井上 聡 について

, 
下田 達也

下田 達也 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-296216
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312811
出願日： 1998年10月02日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】 基板上に形成された薄膜デバイスを、その基板から容易に剥離させることのできる方法を提供すること。【解決手段】 基板(100)上に分離層(120)を設けておき、その基板上にTFT等の薄膜デバイス(140)を形成する。その薄膜デバイス(140)の形成プロセス途中にて、剥離促進用イオン例えば水素イオンを、分離層(120)に注入する。薄膜デバイス(140)の形成後、好ましくは接着層(160)を介してて薄膜デバイス(140)を転写体(180)に接合した後に、基板側からレーザー光を照射する。これによって分離層(120)では、剥離促進用イオンの作用をも利用して剥離を生じせしめる。その薄膜デバイス(140)を基板(100)より離脱させる。これにより、どのような基板にでも所望の薄膜デバイスを転写できる。
請求項（抜粋）：
基板上に分離層を形成する第1工程と、前記分離層上に薄膜デバイスを形成する第2工程と、前記分離層の層内および/または界面において剥離現象を生じさせて、前記基板を前記分離層から剥離させる第3工程と、を有する薄膜デバイスの剥離方法であって、前記第3工程の前に、前記分離層にイオンを注入するイオン注入工程を設けたことを特徴とする薄膜デバイスの剥離方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500
FI (4件)：
H01L 29/78 627 D ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体基体とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-264386   出願人：キヤノン株式会社
  • 半導体板形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-010980   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク

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