化合物半導体層の結晶成長方法及び半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-008825
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209062
出願日： 2002年01月17日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】結晶欠陥を有効に抑制して結晶性に優れた半導体発光素子を形成するのに好適な化合物半導体層の結晶成長方法を提供する。【解決手段】閃亜鉛鉱構造化合物半導体基板に(111)面、(111)面に対する傾斜が±10°以内の面、若しくはこれらと結晶学的に等価な面を選択成長基準面として形成し、選択成長により前記選択成長基準面からウルツ鉱構造の化合物半導体層を結晶成長させて(1-101)面、(1-101)面に対する傾斜が±10°以内の面、若しくはこれらと結晶学的に等価な面を形成させ、結晶性に優れた平坦な(1-101)面を基板上に形成する。

請求項（抜粋）：

閃亜鉛鉱構造化合物半導体基板に(111)面、(111)面に対する傾斜が±10°以内の面、若しくはこれらと結晶学的に等価な面を選択成長基準面として形成し、選択成長により前記選択成長基準面からウルツ鉱構造の化合物半導体層を結晶成長させて(1-101)面、(1-101)面に対する傾斜が±10°以内の面、若しくはこれらと結晶学的に等価な面を形成させることを特徴とする化合物半導体層の結晶成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 , H01S 5/343 610

FI (3件)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 D , H01S 5/343 610

Fターム (41件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077DB08 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA02 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC07 , 5F045AC12 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF06 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DB02 , 5F045HA02 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073BA09 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CA17 , 5F073CB02 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA16 , 5F073DA21 , 5F073DA32 , 5F073DA35 , 5F073EA28 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体レーザ素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-240413 出願人：澤木宣彦, シャープ株式会社

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