半導体装置用基板及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-073568
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270630
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】本発明は、微細な多層配線を高精度に形成可能で、容易に薄型化し得るビルドアップ法の利点を生かし、さらに構造上でも高密度配線化を図る。【解決手段】リードフレーム(1)と、リードフレームの一方の面上に、樹脂を固化してなる絶縁層(7)及び配線層(6)が順次交互に積層されてなる第1の導体回路(2)と、第1の導体回路と電気的に接続され、リードフレームの他方の面上に、樹脂を固化してなる絶縁層及び配線層が順次交互に積層されてなる第2の導体回路(3)と、リードフレームのうち、第1の導体回路と第2の導体回路とに挟まれた部分から外側方向に延在させて形成された外部接続用リード(5)とを備えた半導体装置用基板である。

請求項（抜粋）：

リードフレームと、前記リードフレームの一方の面上に、樹脂を固化してなる絶縁層及び配線層が順次交互に積層されてなる第1の導体回路と、前記第1の導体回路と電気的に接続され、前記リードフレームの他方の面上に、樹脂を固化してなる絶縁層及び配線層が順次交互に積層されてなる第2の導体回路と、前記リードフレームのうち、前記第1の導体回路と前記第2の導体回路とに挟まれた部分から外側方向に延在させて形成された外部接続用リードとを備えたことを特徴とする半導体装置用基板。

IPC (3件)：

H01L 23/50 , H05K 1/11 , H05K 3/46

FI (5件)：

H01L 23/50 W , H01L 23/50 X , H05K 1/11 H , H05K 3/46 K , H05K 3/46 Q

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平1-286336
特開平3-136269
特開平4-199697

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審査官引用 (3件)

特開平1-286336
リード付き配線基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-242984 出願人：三菱電機株式会社
特開昭62-101064

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