特許

J-GLOBAL ID：200903089980461129

半導体記憶装置

発明者： 北本 綾子 ,  松宮 正人
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-250185
公開番号（公開出願番号）：特開2002-063788
出願日： 2000年08月21日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、外部からリフレッシュサイクルが見えず、かつリフレッシュサイクルによるデータアクセス時間の遅れを短縮する半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体記憶装置は、メモリセルのデータを伝播するビット線と、該ビット線に接続され外部からのアクセスにより該ビット線に現れるデータを増幅するセンスアンプ回路と、該ビット線に該センスアンプ回路と共に接続され該ビット線に現れるリフレッシュ対象のデータを増幅してラッチするラッチ回路を含む。

請求項（抜粋）：

メモリセルのデータを伝播するビット線と、該ビット線に接続され外部からのアクセスにより該ビット線に現れるデータを増幅するセンスアンプ回路と、該ビット線に該センスアンプ回路と共に接続され該ビット線に現れるリフレッシュ対象のデータを増幅してラッチするラッチ回路を含むことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/403 ,  G11C 11/401

FI (2件)：

G11C 11/34 371 J ,  G11C 11/34 362 F

Fターム (15件)：

5B024AA15 ,  5B024BA06 ,  5B024BA07 ,  5B024BA09 ,  5B024BA11 ,  5B024BA13 ,  5B024BA21 ,  5B024CA07 ,  5B024CA11 ,  5B024CA27 ,  5B024DA03 ,  5B024DA08 ,  5B024DA10 ,  5B024DA18 ,  5B024DA20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ダイナミックRAM
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-273752   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭63-247997