半導体集積回路の配線構造

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-236948
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087512
出願日： 1997年09月02日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】高速且つ特性インピーダンスの低い信号配線を従来と同等のスペースで実現して、配線寄生効果に制約されずに、より高速動作を可能とすること。【解決手段】半導体基板11の上面に、第1の金属配線層として幅Lを有したグランド配線12が形成される。このグランド配線12及び半導体基板11の上面には、層間絶縁膜13が形成される。この層間絶縁膜13上で、上記グランド配線12の中央部の上方には、第2の金属配線層として幅Wを有した信号配線14が形成される。この半導体集積回路の配線構造は、グランド配線12と信号配線14とが積層された構造となっており、グランド配線12と信号配線14によってマイクロストリップ線路が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に誘電体材料を層間絶縁膜として少なくとも2層の金属配線層を有し、複数の論理回路セルを接続して成る半導体集積回路に於いて、第1の論理回路セルの信号出力と第2の論理回路セルの信号入カとを接続するもので、上記金属配線層の最下層を除く該金属配線層に互いに平行して形成される少なくとも1つの信号配線と、上記信号配線よりも下層の金属配線層に形成されたグランド配線とを有した疑似マイクロストリップ線路構造を具備することを特徴とする半導体集積回路の配線構造。

引用特許：

審査官引用 (1件)

モノリシック集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-241468 出願人：日本電信電話株式会社

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