モノリシック集積回路

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-241468
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162621
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【課題】不使用素子領域を配線として有効に利用し、かつ高周波特性をよくしたモノリシック集積回路を提供する。【解決手段】半導体基板1上に能動素子2、キャパシタ用電極6、抵抗素子21の組がアレイ状に形成されて共通基板とされ、誘電体膜23を介して接地導体25が形成され、接地導体25上に厚さ1μm以上の誘電体膜28が形成され、誘電体膜28上に配線29が形成され、スルーホール31により、配線29と基板1上の能動素子2などが、誘電体膜23の穴24、接地導体25の開口26を通じて接続されて回路が構成される。開口26は、回路に使われる能動素子上に形成される。

請求項（抜粋）：

表面に複数の能動素子が形成された半導体基板と、前記能動素子の上に形成された第1の誘電体膜と、前記第1の誘電体膜の上に形成され、1以上の窓とカバー部とを備え、該窓が前記能動素子中の使用能動素子上に形成され、前記カバー部が前記能動素子中の不使用能動素子を覆うようにした選択プレートと、前記選択プレート上に形成された配線層と、前記使用能動素子を前記配線層に接続する接続手段とを具備することを特徴とするモノリシック集積回路。

IPC (2件)：

H01L 27/118 , H01L 23/12 301

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-101140 出願人：オリンパス光学工業株式会社
特開平2-037751
特開平4-069950

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