特許
J-GLOBAL ID：200903089988832452

半導体素子の多層誘電体構造物、半導体及びその製造方法

発明者：
李 鍾 鎬

李 鍾 鎬 について

, 
李 來 寅

李 來 寅 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (4件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-019030
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217409
出願日： 2005年01月27日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 半導体素子の多層誘電体構造物及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体素子の多層誘電体構造物は、シリケート界面膜及びシリケート界面膜上に形成された高誘電体膜を備え、高誘電体膜は金属合金酸化物を含む。これにより、界面特性の改善は勿論誘電体膜の酸化膜換算膜厚さを薄くすることによって素子の性能を改善させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリケート界面膜と、 前記シリケート界面膜上に形成された、金属合金酸化物を含む高誘電体膜とを含むことを特徴とする半導体素子の多層誘電体構造物。
IPC (13件)：
H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (10件)：
H01L21/316 M ,  H01L21/316 C ,  C23C16/42 ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V ,  H01L27/04 C ,  H01L27/10 651
Fターム (75件)：
4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038AV06 ,  5F038AV08 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA01 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF37 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD60 ,  5F083EP23 ,  5F083EP54 ,  5F083EP56 ,  5F083EP57 ,  5F083EP63 ,  5F083JA12 ,  5F083JA35 ,  5F083JA53 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F101BA07 ,  5F101BA19 ,  5F101BA26 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BD07 ,  5F101BH01 ,  5F101BH16 ,  5F110AA14 ,  5F110AA26 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110NN72 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD13 ,  5F140BF04 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BH15
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第6,020,024号
  • 米国特許第6,013,553号
  • 国際特許出願公開第WO00/01008号
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審査官引用 (1件)

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