特許
J-GLOBAL ID:200903090002474233
ガス分散機構付き減圧式気相成長装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
菅野 中
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-111137
公開番号(公開出願番号):特開2000-303176
出願日: 1999年04月19日
公開日(公表日): 2000年10月31日
要約:
【要約】【課題】 反応室内の膜剥がれや生成物の拡散等を起こさずに大量の不活性ガスを導入して、反応室内の真空状態を短時間で開放する。【解決手段】 インジェクター3の複数のガス吐出口3aから不活性ガスを吹き出すことにより、不活性ガスの運動エネルギーを分散減少させて大流量の不活性ガスを反応室5内に導入する。
請求項(抜粋):
減圧した反応室内に不活性ガスをインジェクターに通して導入しつつ該反応室内の真空状態を開放する機能を有する減圧式気相成長装置であって、前記インジェクターから吹き出される不活性ガスの運動エネルギーを分散減少させて大流量の不活性ガスを導入することを特徴とするガス分散機構付き減圧式気相成長装置。
IPC (3件):
C23C 16/44
, F16K 51/02
, H01L 21/205
FI (3件):
C23C 16/44 D
, F16K 51/02 Z
, H01L 21/205
Fターム (10件):
3H066BA38
, 4K030AA16
, 4K030AA18
, 4K030EA05
, 5F045AA06
, 5F045BB15
, 5F045EB17
, 5F045EF02
, 5F045EF03
, 5F045EF07
引用特許:
審査官引用 (1件)
-
CVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-251098
出願人:松下電子工業株式会社
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