特許

J-GLOBAL ID：200903090027538317

CMP装置の研磨条件管理装置及び研磨条件管理方法

発明者： 横山 利幸 ,  藤田 隆 ,  田中 克典
出願人/特許権者： 株式会社東京精密
代理人 (1件)： 林 孝吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-117544
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277450
出願日： 2007年04月26日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：

【課題】ウェハの残膜厚のバラツキを無くし、研磨効率のアップ、ランニングコストの低減及び歩留り向上を図る。 【解決手段】CMP装置1は、ウェハの研磨速度、研磨圧力、研磨剤等の研磨条件が最適になるように研磨条件を作成する研磨レシピ作成手段3と、該研磨条件下で研磨されるウェハの研磨後の残膜厚を予測する残膜厚予測手段4と、研磨後のウェハの残膜厚を測定する残膜厚測定機4と、該残膜厚の測定結果などに基づき研磨条件の管理等を行うコンピュータ6とから構成される。更に、コンピュータ6は前記残膜厚の測定値と予測値との差を算出する算出部11と、該算出した差が最小になるように前記研磨条件を補正・変更する研磨条件補正・変更部13とを備え、該研磨条件の補正・変更をリアルタイムで行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ウェハ表面に形成された被研磨膜を研磨するCMP装置において、 該ウェハの研磨速度、研磨圧力、研磨剤等の研磨条件が最適になるように研磨条件を作成する研磨レシピ作成手段と、 該研磨条件下で研磨されるウェハの研磨後の残膜厚を予測する残膜厚予測手段と、 研磨後のウェハの残膜厚を測定する残膜厚測定機と、 該残膜厚の測定結果や前記研磨条件など管理するコンピュータとから構成され、 更に、該コンピュータは前記残膜厚の測定値と予測値との差を算出する算出部と、該算出した差が最小になるように前記研磨条件を補正・変更する研磨条件補正・変更部とを備え、 該研磨条件の補正・変更をリアルタイムで行うように構成したことを特徴とするCMP装置の研磨条件管理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/04 ,  B24B 49/04

FI (4件)：

H01L21/304 622R ,  B24B37/04 D ,  B24B49/04 Z ,  H01L21/304 622S

Fターム (15件)：

3C034AA13 ,  3C034CA02 ,  3C034DD07 ,  3C034DD10 ,  3C058AA07 ,  3C058AC02 ,  3C058BA01 ,  3C058BA02 ,  3C058BB08 ,  3C058BB09 ,  3C058BC02 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許308285号公報
  
• 特許3311864号公報
  
• ウェハ特性の制御方法及びその制御システム
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-505995   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド