半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村満 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-350976
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152197
出願日： 2001年11月16日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】ライフタイムキラーとして、金(Au)を使用した場合に、順方向電圧のばらつきを抑制することできる半導体素子を提供する。【解決手段】ダイオード1の半導体基板2は、Auからなるライフタイムキラーが導入されている。半導体基板2は、n+型半導体領域6とn型半導体領域7とp型半導体領域8とFLR9とチャネルストッパ10とを備えている。n+型半導体領域6はn+型のシリコン単結晶基板から構成され、その酸素濃度が1.1×1018cm-3以下に設定されている。また、n+型半導体領域6は、n型の不純物としての砒素が拡散されている。n型半導体領域7は、n+型半導体領域6上に形成されている。p型半導体領域8及びFLR9は、n型半導体領域7の上面の所定の領域に形成されている。チャネルストッパ10はn型半導体領域7の上面の外縁に形成され、n型の不純物としてのリンが拡散されている。

請求項（抜粋）：

n型導電型の半導体領域からなる第1半導体領域と、前記第1半導体領域の一方の主面にエピタキシャル成長によって形成されたn型導電型の半導体領域からなる第2半導体領域と、前記第2半導体領域の所定の表面領域に形成されたp型導電型の半導体領域からなる第3半導体領域と、を有する半導体基板を備え、前記半導体基板は、リンを含むとともに、金からなるライフタイムキラーが導入され、前記第1半導体領域の酸素濃度が1.1×1018cm-3以下である、ことを特徴とする半導体素子。

FI (3件)：

H01L 29/91 J , H01L 29/91 D , H01L 29/91 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-018652 出願人：新電元工業株式会社
特開昭62-109325
特開昭64-045170

全件表示

前のページに戻る