特許
J-GLOBAL ID：200903090049033235
半導体装置用基板及びその製造方法並びに半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-102250
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289264
出願日： 1996年04月24日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【課題】 フリップチップ接続によって接続する接続端子を高密度に形成して多ピン化に対応するとともに、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 フリップチップ接続により半導体チップを搭載する半導体装置用基板において、シリコン基板10に、前記半導体チップの電極位置に対応して基板面から円錐状に突出する突出部14が設けられ、該突出部14を含む前記シリコン基板10の表面にSiO2 被膜16が形成され、前記突出部14の該SiO2 被膜16上に導体層18が被覆されたバンプ20と、前記導体層18からなり該バンプ20の導体層18と電気的に接続された配線パターン22が設けられたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
フリップチップ接続により半導体チップを搭載する半導体装置用基板において、シリコン基板に、前記半導体チップの電極位置に対応して基板面から円錐状に突出する突出部が設けられ、該突出部を含む前記シリコン基板の表面にSiO2 被膜が形成され、前記突出部の該SiO2 被膜上に導体層が被覆されたバンプと、前記導体層からなり該バンプの導体層と電気的に接続された配線パターンが設けられたことを特徴とする半導体装置用基板。
IPC (4件)：
H01L 23/12
, H01L 21/60 311
, H01L 21/321
, H05K 1/18
H01L 23/12 L
, H01L 21/60 311 S
, H05K 1/18 L
, H01L 21/92 602 M
, H01L 21/92 604 A
