緩衝層を有する電力半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-524802
公開番号（公開出願番号）：特表平8-509844
出願日： 1994年05月02日
公開日（公表日）： 1996年10月15日
要約：

【要約】本出願の目的は、電力半導体素子に関し、その際、セラミック基板(SUB)及び金属底板(BP)は、順番に、接合層(2)、低い降伏点及び高い熱伝導率を有する材料からなる緩衝層(DP)並びにもう1つの接合層(3)を介して接合されており、その際、セラミック基板と底板間の機械的接合は、高い剪断強さを有し、かつセラミック基板と底板との異なる熱膨張による早期の物質疲労及び亀裂形成は、緩衝層の塑性変形により回避される。接合層は、例えば、低温接合技術において、電力半導体素子の際に有利に使用されるような、焼結された銀粉層である。

請求項（抜粋）：

電力半導体素子において、セラミック基板(SUB)の一方の面上に、第1の接合層(1)により少なくとも1個の半導体チップ(CHIP)と機械的に接合された導体路(LB)が施与されており、セラミック基板の他方の面上に、低い降伏点及び高い熱伝導率を有する物質からなる緩衝層(DP)が、第2の接合層により施与されており、かつこの緩衝層は、第3の接合層を介して金属底板と結合されており、その際、セラミック基板と底板との機械的接合は高い剪断強さを有し、かつ緩衝層中で、セラミック基板と底板との異なる熱膨張により生じる機械的応力が、塑性変形により充分に解消可能であることを特徴とする、電力半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 23/13 , H01L 21/52 , H01L 23/14

FI (3件)：

H01L 23/12 C , H01L 21/52 A , H01L 23/14 M

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-192341
特開昭62-254439
特開昭57-132333

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