特許
J-GLOBAL ID：200903090064595126
高出力半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101341
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294877
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 高光出力のレーザ光源を必要とする書き換え可能な光ディスクなどへの適用が可能な、キンク光出力が高い半導体レーザとその製造方法を提供する。また、レーザ発振時の注入電流による発熱を低く抑えることで、動作電流が低い半導体レーザとその製造方法を提供する。【解決手段】 ドライエッチングにより、適当なエッチングガス圧、適当な基板温度の条件下でメサ112の形成を行うことで、閃亜鉛鉱型化合物半導体からなる、基板面方位が(001)から傾斜した基板102上に、少なくとも活性層104とそれを挟むクラッド層103、107からなるダブルヘテロ構造を有し、かつ水平横方向の光閉じ込めを行うためのメサ状のストライプを有し、かつ前記メサのストライプ方向に垂直な断面形状が基板を下にして見たときに左右対称であり、メサ裾にだれが無い半導体レーザを製作できる。
請求項（抜粋）：
閃亜鉛鉱型化合物半導体からなる、基板面方位が(001)から[110]方向に傾斜した基板上に、少なくとも活性層とそれを挟むクラッド層からなるダブルヘテロ構造を有し、かつ水平横方向の光閉じ込めを行うためのメサ状のストライプを有し、かつ前記ストライプが[-110]方向を向いており、かつ前記メサのストライプ方向に垂直な断面形状が基板を下にして見たときに左右対称であり、メサ裾にだれが無いことを特徴とするリッジストライプ型の半導体レーザ。
Fターム (11件)：
5F073AA21
, 5F073AA74
, 5F073BA04
, 5F073BA06
, 5F073CA14
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073EA16
, 5F073EA23
, 5F073EA29
