特許

J-GLOBAL ID：200903090419579399

化合物半導体のエッチング方法、半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： 知野 豊治 ,  熊渕 康仁 ,  木戸口 勲 ,  足立 秀人
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-028187
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283505
出願日： 1997年02月12日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体のドライエッチングにおいて、垂直で平滑なエッチング面を形成する方法を提供する。【解決手段】 本発明によるエッチング方法は、約1010cm-3以上の密度のプラズマを発生するプラズマ源を備えたドライエッチング装置によって、ハロゲン元素を含むガスと窒素ガスとの混合ガスを用いて、III-V族化合物半導体またはII-VI族化合物半導体をドライエッチングするエッチング方法であって、(ハロゲン元素を含むガスの流量)/(窒素ガスの流量)≧1程度であり、エッチング反応中の圧力は、約1mTorrまたは1mTorr以上である。

請求項（抜粋）：

約1010cm-3以上の密度のプラズマを発生するプラズマ源を備えたドライエッチング装置によって、ハロゲン元素を含むガスと窒素ガスとの混合ガスを用いて、III-V族化合物半導体またはII-VI族化合物半導体をドライエッチングするエッチング方法であって、(ハロゲン元素を含むガスの流量)/(窒素ガスの流量)≧1程度であり、エッチング反応中の圧力は、約1mTorrまたは1mTorr以上である、エッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 21/302 A ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/302 D ,  H01L 21/306 S

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平4-100226
  
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-010873   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭61-136229
  
• 特開平3-225303
  
• 特開平1-094688
  
• 特開平2-042722