特許

J-GLOBAL ID：200903090106678663

半導体素子および半導体発光素子

発明者： 吉田谷 弘明
出願人/特許権者： アンリツ株式会社
代理人 (1件)： 小林 将高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-256189
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085795
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、所定のバンドギャップを有する第1の半導体層と、これと同一又はこれより大きなバンドギャップを有する第2の半導体層とを互いに接合してなる半導体素子において、第1の半導体層から第2の半導体層へ、接合障壁を越えて少数キャリアとして漏れて行くオーバーフローキャリアを、少ない不純物添加濃度において抑圧することが可能な半導体素子および半導体発光素子を提供する。【解決手段】 ソース層1(活性層)を、これより大きなバンドギャップを有してこのソース層1にヘテロ接合されて、ソース層1からオーバーフローキャリアが漏洩して行くリーク層2(クラッド層)とを備えた半導体発光素子において、リーク層2の接合の近傍に所定の間隔を置いてリーク層2よりバンドギャップの大きいリークキャリア障壁層4、6を形成するとともに、その間にキャリアオーバーフローブロック層5を形成してオーバーフローキャリアを抑圧する。

請求項（抜粋）：

オーバーフローキャリアを供給するソース層(1)と、該ソース層と同一又はこれより大きなバンドギャップを有して該ソース層に接合されて前記オーバーフローキャリアが漏洩して行くリーク層(2)と、該接合の近傍の該リーク層に所定の間隔を置いて設けられ、該リーク層よりバンドギャップ又はヘテロ障壁の大きい第1および第2のリークキャリア障壁層(4、6)を備え、該第1および第2のリークキャリア障壁層の間にキャリアオーバーフローブロック層(5)を形成したことを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00 A

Fターム (14件)：

5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA39 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CB05 ,  5F073AA74 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA24 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-067477   出願人：ソニー株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-263351   出願人：株式会社日立製作所
• 量子バリア半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-320977   出願人：古河電気工業株式会社
• 特開平4-218994
  
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-220212   出願人：三洋電機株式会社