特許

J-GLOBAL ID：200903090172500204

電力増幅装置

発明者： 吉川 力
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-044879
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237651
出願日： 2000年02月22日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】送信周波数を変化させても、合成出力信号の相互変調歪が悪化するのを防止でき、2つのトランジスタ電力増幅回路の動作状態に大きな差異が生じないようにする。【解決手段】レベル制御部5は、電力増幅器2a、2bの相互変調歪が許容限界となる限界出力レベル、および電力合成器4が最小損失で合成する2信号の合成特性を予め記憶したメモリを有している。そして、出力レベル検出器3a,3bによりそれぞれ検出される電力増幅器2a,2bの出力レベルLa,Lbをそれぞれ受けて比較し、前記メモリを参照して使用送信周波数における最適出力レベルを設定し、電力増幅器2a,2bの可変減衰器21a,21bに制御電圧をそれぞれ与えて減衰量を制御する。

請求項（抜粋）：

入力信号を2分配する電力分配器と、この電力分配器により2分配された信号をそれぞれ電力増幅する同一特性の2つの電力増幅器と、これら2つの電力増幅器の出力レベルをそれぞれ検出する2つの出力レベル検出器と、前記2つの電力増幅器の出力を合成する電力合成器と、前記2つの出力レベル検出器により検出された出力レベルに基づき前記2つの電力増幅器の入力側にそれぞれ設けられる可変減衰器を制御して前記2つの電力増幅器の出力レベルをそれぞれ制御するレベル制御部とを備え、このレベル制御部は、前記電力増幅器の相互変調歪が許容限界となる限界出力レベルおよび前記電力合成器が最小損失で合成できる合成特性を予め記憶したメモリを有し、前記2つの電力増幅器の出力レベルを比較し前記メモリを参照して、前記2つの電力増幅器の出力レベルが前記限界出力レベルを超えないように、且つ前記電力合成器おいて最小損失で合成できる出力レベルとなるように前記可変減衰器をそれぞれ制御することを特徴とする電力増幅装置。

IPC (5件)：

H03F 1/32 ,  H03F 3/20 ,  H03F 3/68 ,  H03G 3/20 ,  H03G 3/30

FI (5件)：

H03F 1/32 ,  H03F 3/20 ,  H03F 3/68 B ,  H03G 3/20 A ,  H03G 3/30 E

Fターム (55件)：

5J069AA01 ,  5J069AA21 ,  5J069AA41 ,  5J069CA27 ,  5J069HA09 ,  5J069HA19 ,  5J069HA26 ,  5J069KA17 ,  5J069KA23 ,  5J069SA14 ,  5J069TA01 ,  5J069TA02 ,  5J090AA01 ,  5J090AA21 ,  5J090AA41 ,  5J090CA27 ,  5J090HA09 ,  5J090HA19 ,  5J090HA26 ,  5J090HN14 ,  5J090KA17 ,  5J090KA23 ,  5J090SA14 ,  5J090TA01 ,  5J090TA02 ,  5J091AA01 ,  5J091AA21 ,  5J091AA41 ,  5J091CA27 ,  5J091FP02 ,  5J091HA09 ,  5J091HA19 ,  5J091HA26 ,  5J091KA17 ,  5J091KA23 ,  5J091SA14 ,  5J091TA01 ,  5J091TA02 ,  5J100AA14 ,  5J100BB02 ,  5J100BB04 ,  5J100BB08 ,  5J100CA02 ,  5J100CA03 ,  5J100CA06 ,  5J100CA28 ,  5J100CA29 ,  5J100CA30 ,  5J100FA01 ,  5J100JA01 ,  5J100LA09 ,  5J100LA11 ,  5J100QA02 ,  5J100QA05 ,  5J100SA01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電力合成増幅器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-172375   出願人：福島日本電気株式会社
• 特開昭56-149806
  
• 特開昭56-149806