特許

J-GLOBAL ID：200903090175786192

半導体装置の製造方法

発明者： 林 敬司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-120964
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314073
出願日： 2001年04月19日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】不純物拡散のための長時間の熱処理を行っても、ゲート酸化膜の耐圧劣化が生じない半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板1上にLOCOS膜5を形成し、得られた半導体基板1上に酸化膜6を形成し、酸化膜3を介して半導体基板1表面に不純物を導入し、酸化性ガスを含有する雰囲気下で導入された不純物を拡散する熱処理を行う半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にLOCOS膜を形成し、得られた半導体基板表面に不純物を導入し、酸化性ガスを含有する雰囲気下で導入された不純物を拡散する熱処理を行う半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265 602 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 21/265 602 A ,  H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 321 B

Fターム (25件)：

5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA15 ,  5F048BE03 ,  5F048BG12 ,  5F058BC02 ,  5F058BE07 ,  5F058BF56 ,  5F058BF62 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA19 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA07 ,  5F140BA09 ,  5F140BC06 ,  5F140BC15 ,  5F140BC17 ,  5F140BD05 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08 ,  5F140CB10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-327634   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭61-047661
  
• 特開昭61-047661