半導体装置の作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-219424
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126751
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【目的】 TFT等の島状の珪素膜を必要とする素子や回路において、ゲイト絶縁膜やゲイト電極のステップカバレージを向上させ、歩留りを高める作製方法を提供する。【構成】島状珪素膜をパターニングする際に、珪素膜表面を露出して、マイクロ波励起のプラズマ酸化法により表面にごく薄い酸化膜を形成し、これをパターニングの際の保護膜として用いることによって、下地膜のオーバーエッチを低減する。

請求項（抜粋）：

基板の絶縁表面上に珪素膜を形成する第1の工程と、前記珪素膜表面に、マイクロ波励起によるプラズマ酸化により酸化膜を形成する第2の工程と、前記酸化膜および珪素膜をフォトリソグラフィーによりパターニングする第3の工程と、前記酸化膜を除去する第4の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 21/3065 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 27/12 R , H01L 21/302 N , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-292741
特開昭57-028357
特開平2-140915

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