特許
J-GLOBAL ID：200903090239974010

半導体装置

発明者：
大黒 達也

大黒 達也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-186854
公開番号（公開出願番号）：特開2007-000994
出願日： 2005年06月27日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】アクチュエータの動作を制御することが容易なMEMSデバイスを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板11と、半導体基板11の上方に設けられ、かつ上方向に動くアクチュエータ25と、アクチュエータ25により駆動される第1の電極層17と、第1の電極層17の上方に設けられ、かつ第2の電極層24を含むキャップ部27とを含む。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板の上方に設けられ、かつ上方向に動くアクチュエータと、 前記アクチュエータにより駆動される第1の電極層と、 前記第1の電極層の上方に設けられ、かつ第2の電極層を含むキャップ部と を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
B81B 3/00 ,  H01H 59/00 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/193 ,  H01L 41/22
FI (9件)：
B81B3/00 ,  H01H59/00 ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 D ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101C ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 102 ,  H01L41/22 Z
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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