マイクロデバイスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-159626
公開番号（公開出願番号）：特開2004-358603
出願日： 2003年06月04日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】本発明は機能部品として光デバイスやMEMS部品が搭載されたマイクロデバイスの製造方法に関し、製造工程中に機能素子に汚染が発生することを確実に防止することを課題とする。【解決手段】光デバイス部27を形成する時に用いられる犠牲層34を除去する犠牲層除去工程と、光デバイス部27が形成された基板22Aにスペーサ23Aを介してガラス板24を配設する工程とを有するマイクロデバイスの製造方法において、犠牲層34が除去される前の光デバイス部27が形成された基板22Aに対し接着剤32を用いてスペーサ23Aを配設し、その後に犠牲層34を除去する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

機能素子を形成する時に用いられる犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、前記機能素子が形成された基板に、スペーサを介してガラス板を配設する工程とを有するマイクロデバイスの製造方法であって、前記犠牲層が除去される前の前記機能素子が形成された基板に対し、接着剤を用いて前記スペーサを配設するスペーサ配設工程と、該スペーサ配設工程が終了した後、前記犠牲層除去工程を実施することを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。

IPC (3件)：

B81C3/00 , B81C1/00 , G02B26/08

FI (3件)：

B81C3/00 , B81C1/00 , G02B26/08 E

Fターム (4件)：

2H041AA05 , 2H041AB14 , 2H041AC06 , 2H041AZ08

引用特許：

審査官引用 (9件)

光変調装置及びその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-077614 出願人：株式会社リコー
高精度位置決め手段、光スイッチング素子、外部共振器半導体レーザ製造手段、及び、波長可変半導体レーザ製造手段
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-050520 出願人：セイコーエプソン株式会社
角速度センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-046577 出願人：株式会社村田製作所

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