半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-026514
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235639
出願日： 1994年02月24日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】強誘電体薄膜を容量絶縁膜とするキャパシタを備えた半導体装置の耐湿性を向上させ、信頼性を高める。【構成】シリコンからなる支持基板1上に形成された下電極3、強誘電体材料からなる容量絶縁膜4および上電極5で構成されたキャパシタ上に、コンタクト孔7を除いて絶縁保護膜6を形成し、さらにこの絶縁保護膜6上に、アルミニウム膜13およびチタン・タングステン膜14からなる配線層12を、キャパシタの全体すなわち少なくとも上電極5の全面を覆うように設ける。【効果】耐水性に優れたチタン・タングステン膜でキャパシタを覆うことで、半導体装置内の水分の浸入を防止することができる。

請求項（抜粋）：

支持基板と、前記支持基板の一表面上に形成された下電極と、前記下電極の表面に形成された強誘電体からなる容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜の表面に前記下電極と接触することなく形成された上電極と、前記下電極、前記容量絶縁膜および前記上電極を被覆し、かつ前記下電極および前記上電極をそれぞれ独立して配線するためのコンタクト孔を備えた絶縁保護膜と、その絶縁保護膜の表面に前記上電極を覆うように形成された、アルミニウムを主成分とする第1層およびチタン・タングステンからなる第2層で構成された配線層とを備え、前記下電極または前記上電極が前記コンタクト孔を通して前記配線層と電気的に接続された半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 27/10 451

FI (2件)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 325 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

金属配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-021936 出願人：松下電器産業株式会社
特開平2-299235
特開昭47-027475

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