特許

J-GLOBAL ID：200903090289446197

メモリ効果を有するスイッチ素子

発明者： ブラディミア バロヴィック ,  アーロン マンデル ,  アンドリュー パールマン
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 鈴木 正剛 ,  佐野 良太 ,  村松 義人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-588649
公開番号（公開出願番号）：特表2005-524967
出願日： 2002年05月07日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

第1及び第2電極の間に配置され、分子系とその系内に分布するイオン錯体とを有する活性領域、を備える新規のスイッチ素子が提供される。制御電極は、活性領域に印加される電界を制御するために設けられる。活性領域は、所定の極性と強度を有する電界が所定の時間印加されると、高インピーダンス状態と低インピーダンス状態の間で切り替わる。

請求項（抜粋）：

第1及び第2電極と、 前記第1及び第2電極の間に設けられており、分子系を備える活性領域と、 前記活性領域に印加される電界を制御するための制御電極と、を備える スイッチ素子。

IPC (6件)：

H01L27/10 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786 ,  H01L49/02 ,  H01L51/00

FI (9件)：

H01L27/10 451 ,  H01L27/10 421 ,  H01L27/10 449 ,  H01L49/02 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/28 ,  H01L27/10 321

Fターム (12件)：

5F083FZ07 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F110AA16 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC09 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110EE03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG33

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-039568
  
• 特開平4-137666
  
• 特開昭62-222675
  
• Mott遷移分子電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-126803   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開平3-238873