特許
J-GLOBAL ID：200903090300408987
成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-038786
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251357
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 薄膜の膜厚における面内均一性を向上させ、かつ良好なステップカバレ-ジ形状を得ること。【構成】 反応管内に多数のウエハを搭載したウエハボートをロードし、反応管内を例えば620°Cに加熱し、真空引きした後100%モノシランガスを導入し、減圧状態でウエハ上にポリシリコン層91を形成する。その後反応管内を排気してからフォスフィンガスを導入して減圧状態でリン吸着層92をポリシリコン層91上に形成し、更に反応管内を排気してから100%モノシランガスにより、リン吸着層92上にポリシリコン層91を形成する。このような操作を繰り返してサンドイッチ構造の積層体9を得た後アニール処理してリン吸着層92のリンをポリシリコン層91内に拡散させる。
請求項（抜粋）：
不純物をドープした薄膜を被処理体上に成膜する方法において、薄膜の主成分を含む成膜用ガスを被処理雰囲気中に供給するか、または成膜用ガスと共に不純物を含むドープ用ガスを被処理雰囲気中に供給して、不純物が零または低濃度の第1の層を形成する第1の工程と、ドープ用ガスを被処理雰囲気中に供給するか、またはドープ用ガスと共に成膜用ガスを被処理雰囲気中に供給して不純物のみまたは不純物が高濃度の第2の層を形成する第2の工程と、を交互に行い、これにより得られた薄膜を熱処理して第2の層の不純物を第1の層内に拡散させることを特徴とする成膜方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/225
