特許
J-GLOBAL ID：200903090307367453
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鷲田 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-326339
公開番号（公開出願番号）：特開2008-141013
出願日： 2006年12月01日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
【課題】局所的な特性変動の問題に対しても有効に対応でき、かつ高速化と低消費電力化を両立させることが可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置100は、内部に満遍なく配置され、配置された場所の局所的な特性変動を遅延情報として検出する複数のセンサ回路101a〜101gと、複数のセンサ回路101a〜101gにより検出された遅延情報をとりまとめて外部に送出する出力インターフェース回路102とを備え、その外側に、検出された遅延情報を統計的に処理し、プロセスばらつき等の状態を判断して制御コードを生成する演算部110と、不揮発性メモリ103に記録された制御コードから出力すべき電圧を決定する出力電圧制御部120と、半導体装置100に電源電圧131aと接地電位131bを供給する電源電圧発生部130とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも1つのMOSトランジスタを有し、電源電圧の供給を受けて動作する主回路と、
前記主回路内に複数配置され、配置された場所の局所的な特性変動を遅延情報として検出する複数のセンサ回路と、
前記複数のセンサ回路の検出結果をとりまとめて出力する出力インターフェース回路と、
前記出力インターフェース回路から出力された前記複数のセンサ回路の検出結果を統計的に処理する演算部と、
前記演算部の演算結果に基づいて、前記主回路に供給する電源電圧を制御する電源電圧制御部と
を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/822
, H01L 27/04
, G01R 31/28
H01L27/04 T
, G01R31/28 V
2G132AA01
, 2G132AG01
, 2G132AK07
, 2G132AL00
, 5F038BE02
, 5F038BE03
, 5F038BG06
, 5F038BG09
, 5F038CD09
, 5F038DF04
, 5F038DF05
, 5F038DF08
, 5F038DT12
, 5F038DT16
, 5F038DT17
, 5F038EZ20
