半導体チップ接合用基材および半導体チップ接合用半田材および半導体チップ接合用半田材の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-114798
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326141
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】半田接合部中に空孔が形成されるのを防ぐ。【構成】基材2と半導体チップ1の間に介装される半田シート21を、中央部を周縁部より厚く形成した。半田シート21は基材2および半導体チップ1と接する中央部から溶融される。この溶融部が徐々に半田シート21の周縁部へ拡がるから、半田接合部中のガスは半田シート21の中央部から周縁部へ移動し、周縁から外部へ出る。半田接合部中に空孔が生じるのを確実に防ぐことができ、半導体チップ1の熱を効率よく放散させることができる。このため、半田接合部および半導体チップ1の長期信頼性を大幅に改善することが可能になる。

請求項（抜粋）：

半導体チップが半田を介して接合される半導体チップ接合用基材において、半導体チップが接合される半導体チップ接合面を他の部位より突出させ、この突出部を、半導体チップの中央部と対応する部分より側部と対応する部分を低く形成したことを特徴とする半導体チップ接合用基材。

IPC (2件)：

H01L 21/52 , B23K 35/40 340

引用特許：

審査官引用 (6件)

特公昭42-000424
特開昭54-066073
特開昭63-300519

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