特許

J-GLOBAL ID：200903090332869811

シランの製造法

発明者： イェルン ヴィンターフェルト ,  ボルス カユス アベーレ
出願人/特許権者： ワツカー-ケミー ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229936
公開番号（公開出願番号）：特開2000-086675
出願日： 1999年08月16日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 3個未満のハロゲン原子を有するハロゲンシランから出発し、ケイ素原子に対してα位に第三級炭化水素基を有するシランを製造するための簡単で、特に経済的な方法。【解決手段】 遷移金属触媒および不活性で非プロトン性のキレート化する化合物の存在で、一般式2R1MgX1 (2)のグリニャール試薬と、一般式3RmSiX4-m (3)のシランとを反応させ一般式1のシランを製造する。RmR1nSiX4-m-n (1)[Rは場合によりフッ素、塩素またはシアノ基で置換されたC1〜C10-炭化水素基、R1はケイ素に対してα位で第三級の、場合によりフッ素、塩素またはシアノ基で置換されたC4〜C30-炭化水素基、XおよびX1は塩素、臭素またはヨウ素、mは2または3、nは1または2である]

請求項（抜粋）：

一般式1RmR1nSiX4-m-n (1)で示されるシランを製造する方法において、遷移金属触媒および不活性で非プロトン性のキレート化する化合物の存在で、一般式2R1MgX1 (2)で示されるグリニャール試薬と、一般式3RmSiX4-m (3)[上記式中、Rは、場合によりフッ素、塩素またはシアノ基で置換されたC1〜C10-炭化水素基であり、R1は、ケイ素原子に対してα位で第三級の、場合によりフッ素、塩素またはシアノ基で置換されたC4〜C30-炭化水素基であり、XおよびX1は、それぞれ塩素、臭素またはヨウ素であり、mは2または3の値であり、nは1または2の値である]で示されるシランとを反応させることを特徴とする、一般式1のシランの製造法。

IPC (7件)：

C07F 7/12 ,  B01J 23/72 ,  B01J 27/122 ,  B01J 31/02 101 ,  B01J 31/04 ,  C07B 49/00 ,  C07B 61/00 300

FI (8件)：

C07F 7/12 M ,  C07F 7/12 J ,  B01J 23/72 X ,  B01J 27/122 X ,  B01J 31/02 101 X ,  B01J 31/04 X ,  C07B 49/00 ,  C07B 61/00 300

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 第3級ヒドロカルビルシリル化合物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-163649   出願人：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション