特許

J-GLOBAL ID：200903090340509875

強誘電体単結晶およびその製造方法

発明者： 李 相 救 ,  林 聖 ▲みん▼ ,  金 ▲みん▼ 燦
出願人/特許権者： イブレ・フォトニクス・カンパニー・リミテッド
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-104893
公開番号（公開出願番号）：特開2001-354496
出願日： 2001年04月03日
公開日（公表日）： 2001年12月25日
要約：

【要約】【課題】 種々のデバイスの製造に適合する新たな組成の知能性緩和型強誘電体単結晶を、商業化可能な5cm以上の直径に製造する。【解決手段】 下記一般式(I)の組成を有する強誘電体単結晶:x[A]y[B]z[C]-p[P]n[N] (I)(式中、Aはマグネシウムニオブ酸鉛[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]または亜鉛ニオブ酸鉛[Pb(Zn1/3Nb2/3)O3]、Bはチタン酸鉛[PbTiO3]、Cはタンタル酸リチウム[LiTaO3]またはニオブ酸リチウム[LiNbO3]、Pは白金、金、銀、パラジウムおよびロジウムからなる群から選ばれる金属、Nはニッケル、コバルト、鉄、ストロンチウム、スカンジウム、ルテニウム、銅およびカドミウムからなる群から選ばれる金属の酸化物、xは0.65〜0.98、yは0.01〜0.34、zは0.01〜0.1、pおよびnは各々0.01〜5)。

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)の組成を有する強誘電体単結晶:x[A]y[B]z[C]-p[P]n[N] (I)(式中、Aはマグネシウムニオブ酸鉛[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]または亜鉛ニオブ酸鉛[Pb(Zn1/3Nb2/3)O3]であり、Bはチタン酸鉛[PbTiO3]であり、Cはタンタル酸リチウム[LiTaO3]またはニオブ酸リチウム[LiNbO3]であり、Pは白金、金、銀、パラジウムおよびロジウムからなる群から選ばれる金属であり、Nはニッケル、コバルト、鉄、ストロンチウム、スカンジウム、ルテニウム、銅およびカドミウムからなる群から選ばれる金属の酸化物であり、xは0.65より大きく、0.98より小さい数であり、yは0.01より大きく、0.34より小さい数であり、zは0.01より大きく、0.1より小さい数であり、pおよびnは各々0.01より大きく、5より小さい数である)。

IPC (8件)：

C30B 29/30 ,  C30B 11/00 ,  C30B 29/32 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 313 ,  H01B 3/12 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24

FI (8件)：

C30B 29/30 C ,  C30B 11/00 C ,  C30B 29/32 D ,  H01B 3/00 D ,  H01B 3/12 313 M ,  H01B 3/12 313 Z ,  H01L 41/18 101 F ,  H01L 41/22 A

Fターム (34件)：

4G077AA02 ,  4G077BC40 ,  4G077BC43 ,  4G077CD10 ,  4G077EA01 ,  4G077EA04 ,  4G077EC02 ,  4G077EG02 ,  4G077HA11 ,  4G077MA02 ,  4G077MB14 ,  4G077MB31 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA05 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB07 ,  5G303CB09 ,  5G303CB11 ,  5G303CB13 ,  5G303CB16 ,  5G303CB17 ,  5G303CB21 ,  5G303CB23 ,  5G303CB25 ,  5G303CB26 ,  5G303CB32 ,  5G303CB33 ,  5G303CB35 ,  5G303CB38 ,  5G303CB43 ,  5G303CD07 ,  5G303DA01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 強誘電体薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-283465   出願人：松下電器産業株式会社