特許

J-GLOBAL ID：200903090340797749

半導体ウェーハの研磨装置

発明者： 稲葉 高男 ,  沼本 実 ,  佐藤 学
出願人/特許権者： 株式会社東京精密
代理人 (1件)： 松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-300357
公開番号（公開出願番号）：特開平11-129154
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月18日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェーハに形成された薄膜を平坦に研磨することができる半導体ウェーハの研磨装置を提供する。【解決手段】本発明は、キャリア24に複数のエア噴出孔48、50、52を形成し、これらのエア噴出孔48、50、52に対向する半導体ウェーハWの薄膜の膜厚に応じて、エア噴出孔48、50、52から噴出されるエアのエア圧をエア噴出孔48、50、52毎に制御することにより、半導体ウェーハW面内の研磨量を制御して薄膜を平坦に研磨する。即ち、本発明は、薄膜の膜厚分布を予め取得しておき、この薄膜を研磨する時に、膜厚の厚い部分に対向するエア噴出孔48のエア圧を上げ、これとは逆に膜厚の薄い部分に対向するエア噴出孔50、52のエア圧を下げるようエア圧を制御する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハを保持するキャリアと半導体ウェーハとの間に圧力エア層を形成し、キャリアに伝達された押圧手段からの押圧力を前記圧力エア層を介して半導体ウェーハに伝達することにより、半導体ウェーハを研磨布に押し付けて半導体ウェーハに形成された薄膜を研磨する半導体ウェーハの研磨装置において、前記圧力エア層の中央部と周辺部とのエア圧を変えることにより、半導体ウェーハ面内の研磨量を制御して前記薄膜を研磨することを特徴とする半導体ウェーハの研磨装置。

IPC (3件)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

B24B 37/00 B ,  H01L 21/304 321 H ,  H01L 21/304 321 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ポリッシング装置および方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-065315   出願人：株式会社荏原製作所