炭素ナノチューブの合成方法及び炭素ナノチューブの合成装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-226015
公開番号（公開出願番号）：特開2002-121015
出願日： 2001年07月26日
公開日（公表日）： 2002年04月23日
要約：

【要約】【課題】炭素ナノチューブの合成方法及び炭素ナノチューブの合成装置を提供する。【解決手段】触媒を反応器内に導入する段階1100と、触媒が導入された後、反応器内に炭素ソースガス、炭素ソースガスと硫化水素ガス、或いは炭素ソースガスと水素ガスまたは不活性ガスなどを含む反応ガスを提供する段階1200と、触媒が導入された反応器にマイクロウェーブの放射による加熱、電磁気誘導加熱、RF加熱またはレーザを用いた加熱法などにより加熱を行い、反応器内の触媒を局部的に加熱し、局部的に加熱された触媒上から炭素ナノチューブを成長させる段階1300とを含む炭素ナノチューブの合成方法である。そして、炭素ナノチューブの合成装置はこの炭素ナノチューブの合成方法に用いられる。

請求項（抜粋）：

触媒を反応器内に導入する段階と、前記触媒上に炭素ソースガスを含む反応ガスを供給する段階と、前記反応器内の前記触媒を選択的に加熱する局部的な加熱段階と、加熱された前記触媒上から炭素ナノチューブを成長させる段階とを含むことを特徴とする炭素ナノチューブの合成方法。

IPC (6件)：

C01B 31/02 101 , B01J 23/745 , B01J 23/75 , B01J 27/043 , B01J 31/04 , D01F 9/127

FI (6件)：

C01B 31/02 101 F , B01J 27/043 M , B01J 31/04 M , D01F 9/127 , B01J 23/74 301 M , B01J 23/74 311 M

Fターム (56件)：

4G046CA01 , 4G046CC01 , 4G046CC02 , 4G046CC06 , 4G046CC08 , 4G046CC09 , 4G069AA03 , 4G069AA08 , 4G069BA02A , 4G069BA02B , 4G069BA14A , 4G069BA14B , 4G069BA21A , 4G069BA22A , 4G069BA22B , 4G069BA27A , 4G069BA27B , 4G069BA27C , 4G069BB02A , 4G069BB02B , 4G069BB04A , 4G069BB09A , 4G069BB09B , 4G069BB15A , 4G069BC66A , 4G069BC66B , 4G069BC66C , 4G069BC67A , 4G069BC67B , 4G069BC68A , 4G069BE08A , 4G069BE08B , 4G069BE34A , 4G069BE34B , 4G069BE42C , 4G069CB81 , 4G069EA01 , 4G069EA02X , 4G069FA02 , 4G069FA03 , 4G069FB01 , 4G069FB14 , 4G069FB23 , 4G069FB24 , 4G069FB26 , 4G069FB30 , 4G069FB35 , 4G069FB43 , 4G069FB50 , 4G069FC02 , 4L037CS04 , 4L037FA02 , 4L037PA01 , 4L037PA06 , 4L037PA11 , 4L037PA26

引用特許：

出願人引用 (1件)

基材上にナノチューブ層を生成する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-526462 出願人：エレクトロファク,ファブリカツィオーンエレクトロテクニシャースペツィアラルティクテルゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

審査官引用 (1件)

基材上にナノチューブ層を生成する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-526462 出願人：エレクトロファク,ファブリカツィオーンエレクトロテクニシャースペツィアラルティクテルゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

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