特許
J-GLOBAL ID：200903090368333365
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-276526
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098285
出願日： 2006年10月10日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：
【課題】低コストで簡単に作製することができ、半田からなる接合材のクリープ特性に優れ、かつ、封止樹脂との密着性に優れる半導体装置を提供すること。 【解決手段】基板2の一方面2Aには、内部端子8およびアイランド5が所定の位置に形成されている。内部端子8およびアイランド5は、銅を用いて形成されており、その表面には、銀を用いためっきにより形成される内部端子銀めっき層9およびアイランド銀めっき層6が形成されている。また、基板2の他方面2Bには、端子パッド11およびサーマルパッド17が形成されている。端子パッド11およびサーマルパッドの表面には、銀を用いためっきにより形成される外部端子銀めっき層12およびサーマル銀めっき層18が形成されている。そして、外部端子銀めっき層12およびサーマル銀めっき層18の上には、半田を用いて外部端子16およびサーマルバンプ19が形成されている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
樹脂製の基板と、
前記基板の一方面上に搭載される半導体チップと、
前記基板の前記一方面上に銅を用いて形成され、前記半導体チップと電気的に接続される内部接続部と、
前記内部接続部の表面上に銀を用いて形成される内部銀めっき層と、
前記基板の前記一方面上を封止する封止樹脂と、
前記基板の前記一方面と反対側の他方面上に銅を用いて形成され、外部との電気接続のための外部接続部と、
前記外部接続部の表面上に銀を用いて形成される外部銀めっき層と、
前記外部銀めっき層上に半田を用いて形成されるバンプと、を含むことを特徴とする、半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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