パッケージ介挿基板及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：三枝弘明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-154256
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349186
出願日： 1999年06月01日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】特に半田ボール、バンプ電極などの各種導電体を接合させて突出電極を形成するための端子接合パッドを備えたパッケージ介挿基板において、導電体との接合強度を確保しながら、その接合強度の安定性を高めることのできる技術を提供する。【解決手段】まず、BGA配線基板100の上面全体をメッキレジストによって完全に覆った状態とする。そして、BGA配線基板の下面に形成された端子側パッド形成部131上に銀めっきを施して表面層132を形成し、端子接合パッド13aを構成する。次に、洗浄した後に上記メッキレジストを除去して再び洗浄し、今度はBGA配線基板の下面全体をメッキレジストで被覆する。そして、BGA配線基板の上面に形成されたチップ側パッド形成部上に表面層を形成し、金被覆層で覆われたチップ接続パッドを形成する。

請求項（抜粋）：

所定の配線パターンと、該配線パターンに導電接続された複数のチップ接続パッドを備えたチップ接続部と、前記配線パターンに導電接続された複数の端子接合パッドを備えた端子接合部とを備え、前記チップ接続部が集積回路チップの複数の入出力部に直接若しくは間接的に導電接続されるように構成され、前記端子接合部の前記端子接合パッドが突出電極を形成するための導電体に接合されるように構成されてなるパッケージ介挿基板であって、前記チップ接続パッドの表面が金若しくは金を主体とする合金よりなる金被覆層により構成され、前記端子接合パッドの表面が銀若しくは銀を主体とする合金よりなる銀被覆層により構成されていることを特徴とするパッケージ介挿基板。

IPC (3件)：

H01L 23/12 , H05K 1/09 , H05K 1/11

FI (4件)：

H01L 23/12 L , H05K 1/09 A , H05K 1/11 C , H01L 23/12 N

Fターム (41件)：

4E351AA03 , 4E351AA04 , 4E351AA13 , 4E351BB01 , 4E351BB33 , 4E351BB35 , 4E351BB38 , 4E351BB49 , 4E351CC07 , 4E351CC30 , 4E351DD04 , 4E351DD05 , 4E351DD06 , 4E351DD19 , 4E351DD20 , 4E351DD21 , 4E351GG02 , 4E351GG13 , 4E351GG15 , 5E317AA07 , 5E317BB02 , 5E317BB03 , 5E317BB05 , 5E317BB11 , 5E317BB12 , 5E317BB13 , 5E317BB14 , 5E317BB15 , 5E317CC32 , 5E317CC35 , 5E317CC52 , 5E317CD01 , 5E317CD03 , 5E317CD13 , 5E317CD15 , 5E317CD18 , 5E317CD25 , 5E317CD29 , 5E317GG03 , 5E317GG07 , 5E317GG09

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置用多層プリント基板及び多層プリント基板を用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-209809 出願人：ソニー株式会社
ボール・グリッド・アレイ型半導体パッケージにおける半田付け構造、および半田付け方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-210073 出願人：富士ミクロ工業株式会社
半田バンプ付き半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-055806 出願人：シチズン時計株式会社

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