不揮発性記憶内の結合の補償

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-505381
公開番号（公開出願番号）：特表2008-536252
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：

不揮発性メモリセルのフローティングゲート(又は他の電荷蓄積要素)上に蓄積される見かけの電荷内のシフトは、隣接フローティングゲート(又は他の隣接電荷蓄積要素)内に蓄積される電荷に基づく電界の結合のために発生する可能性がある。この問題は、異なる時間にプログラムされる隣接メモリセルの集合の間で最も顕著に発生する。この結合を補償するために、所定のメモリセル用の読み出し処理は、隣接メモリセルのプログラムされた状態を考慮することができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1ページと第2ページのデータを記憶する不揮発性記憶要素の第1集合からデータを読み出す方法であって、前記不揮発性記憶要素の第1集合に隣接する不揮発性記憶要素の第2集合の電荷レベルデータを決定する工程と、前記不揮発性記憶要素の第1集合の各々に対して、2つの隣接するデータ状態の間を区別する異なる基準レベルを用いて複数の読み出し動作を実行するとともに、隣接する前記マルチ状態不揮発性記憶要素の第2集合の各々の電荷レベルデータに基づいて、前記読み出し動作の1つに関連した情報を記録するために選択する工程と、を備えており、前記不揮発性記憶要素の第1集合と前記不揮発性記憶要素の第2集合が、少なくとも4つのデータ状態に関連しており、前記記録された情報が前記第1ページのデータ値を示している方法

IPC (6件)：

G11C 16/02 , H01L 21/824 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115 , G11C 16/04

FI (5件)：

G11C17/00 641 , H01L29/78 371 , H01L27/10 434 , G11C17/00 613 , G11C17/00 622E

Fターム (44件)：

5B125BA02 , 5B125BA19 , 5B125CA19 , 5B125CA20 , 5B125DA03 , 5B125DA09 , 5B125DB19 , 5B125EA05 , 5B125EA10 , 5B125ED09 , 5B125EE01 , 5B125EE19 , 5B125FA01 , 5B125FA02 , 5B125FA05 , 5F083EP02 , 5F083EP18 , 5F083EP22 , 5F083EP23 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP49 , 5F083EP76 , 5F083ER02 , 5F083ER11 , 5F083ER22 , 5F083GA11 , 5F083JA04 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA10 , 5F083ZA21 , 5F101BA01 , 5F101BA45 , 5F101BB02 , 5F101BB05 , 5F101BD22 , 5F101BD34 , 5F101BE01 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF05

引用特許：

審査官引用 (1件)

不揮発性半導体記憶装置及びこれを用いた電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-117333 出願人：株式会社東芝

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