不揮発性半導体記憶装置及びこれを用いた電子装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-117333
公開番号（公開出願番号）：特開2004-326866
出願日： 2003年04月22日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】隣接メモリセル間の干渉の影響を低減した不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、電気的書き換え可能な浮遊ゲート型メモリセルが配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのデータ読み出しを行うための複数のセンスアンプ回路とを有し、前記各センスアンプ回路は、前記メモリセルアレイから選択された第1のメモリセルについて、これに隣接し且つこれより後にデータ書き込みがなされる第2のメモリセルのデータに応じて決まる読み出し条件下でセルデータをセンスするように構成されている。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

電気的書き換え可能な浮遊ゲート型メモリセルが配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのデータ読み出しを行うための複数のセンスアンプ回路とを有し、前記各センスアンプ回路は、前記メモリセルアレイから選択された第1のメモリセルについて、これに隣接し且つこれより後にデータ書き込みがなされる第2のメモリセルのデータに応じて決まる読み出し条件下でセルデータをセンスするように構成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (8件)：

G11C16/06 , G11C16/02 , G11C16/04 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (12件)：

G11C17/00 634E , H01L27/10 481 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , G11C17/00 641 , G11C17/00 622E , G11C17/00 611A , G11C17/00 611E , G11C17/00 634G , G11C17/00 634B , G11C17/00 613 , G11C17/00 601T

Fターム (24件)：

5B025AD04 , 5B025AD05 , 5B025AD11 , 5B025AE08 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP76 , 5F083ER22 , 5F083GA11 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA10 , 5F083ZA12 , 5F083ZA14 , 5F083ZA21 , 5F101BA01 , 5F101BB05 , 5F101BD22 , 5F101BE01 , 5F101BE07 , 5F101BF05

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-173654
記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-223576 出願人：松下電器産業株式会社
メモリセルの隣接する行の記憶素子間の結合の効果を減少させる方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-534286 出願人：サンディスクコーポレイション

前のページに戻る