特許
J-GLOBAL ID：200903090428101507
高電子移動度トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
櫻井 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-120974
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283746
出願日： 1996年04月18日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】〔課題〕相互コンダクタンスに関する良好な特性と、低い閾値電圧の実現が可能な高電子移動度トランジスタ(HEMT)を提供する。〔解決手段〕ほぼ均一な電子ガス層を形成するためのチャネル層(4) の上下に高抵抗のワイドバンドギャップ層(3,5) が形成されると共に、これら上下の高抵抗のワイドバンドギャップ層(3,5) のそれぞれの内部にシリコンプレーナ・ドーピング層(3a ,5a)が形成されることにより相互コンダクタンスに関する良好な特性を実現され、さらに、上部の高抵抗のワイドバンドギャップ層(5) の上部に低抵抗のワイドバンドギャップ層(5b)が形成されることにより低い閾値電圧が実現される。
請求項（抜粋）：
ほぼ均一な密度の電子ガス層を形成するためのチャネル層の上下に高抵抗のワイドバンドギャップ層が形成されると共に、これら上下の高抵抗のワイドバンドギャップ層のそれぞれの内部にシリコンプレーナ・ドーピング層が形成されているダブルヘテロ構造の高電子移動度トランジスタにおいて、前記上部の高抵抗のワイドバンドギャップ層の上部に低抵抗のワイドバンドギャップ層が形成されたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
