特許

J-GLOBAL ID：200903090522809696

半導体記憶装置のキャパシタ絶縁膜の形成方法

発明者： 黒木 弘樹
出願人/特許権者： 宮崎沖電気株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-219202
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069417
出願日： 1992年08月18日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 シリコン窒化膜の膜厚を粗面凹部のみで厚くし、容量低下を招くことなく、信頼性の向上を図る。【構成】 半導体記憶装置におけるキャパシタ絶縁膜の形成方法において、下部電極としての粗面多結晶シリコン電極13を形成し、この粗面多結晶シリコン電極上に第1のシリコン窒化膜14を形成し、前記粗面多結晶シリコン電極13の凹部のシリコン窒化膜のみを残し、凸部のシリコン窒化膜を除去し、この多結晶シリコン電極上に第2のシリコン窒化膜15を形成し、この第2のシリコン窒化膜15上に上部シリコン酸化膜16を形成し、このシリコン酸化膜上に上部電極17を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体記憶装置におけるキャパシタ絶縁膜の形成方法において、(a)下部電極としての粗面多結晶シリコン電極を形成し、(b)該粗面多結晶シリコン電極上に第1のシリコン窒化膜を形成し、(c)前記粗面多結晶シリコン電極の凹部のシリコン窒化膜のみを残し、凸部のシリコン窒化膜を除去し、(d)該多結晶シリコン電極上に第2のシリコン窒化膜を形成し、(e)該第2のシリコン窒化膜上にシリコン酸化膜を形成し、(f)該シリコン酸化膜上に上部電極を形成することを特徴とする半導体記憶装置のキャパシタ絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-272165
  
• ストレージ電極の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-275469   出願人：沖電気工業株式会社