ストレージ電極の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-275469
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114712
出願日： 1991年10月23日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】本発明は、メモリセルを有する半導体装置のそのキャパシタ部のストレージ電極の形成方法に関するもので、特にその表面が凹凸状の該電極におけるその凹部のエッジ部が急峻であるために、信頼性(寿命)が劣化することを低減することを目的とするものである。【構成】本発明は前記目的のために、ストレージ電極となる凹凸状の表面のシリコン膜を形成した後その表面に、酸化膜を形成してそれを除去する方法、あるいはポリシリコン膜を堆積する方法、また絶縁膜で凹部エッジを埋める方法により処理し、凹部エッジをなめらかにするようにしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、キャパシタ部のストレージ電極となる表面が凹凸状のシリコン膜を形成した後に、前記シリコン膜表面を酸化して酸化膜を形成し、その後前記酸化膜を除去する工程を含むことを特徴とするストレージ電極の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/28 , H01L 21/316 , H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-077280 出願人：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-267979 出願人：三菱電機株式会社
特開平3-278566

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