特許

J-GLOBAL ID：200903090529195316

サブリソグラフィ・イメージを作成する方法および構造

発明者： ケニス・イー・ベイルステイン・ジュニア ,  クロード・エル・バーティン ,  ジェームズ・エム・リース ,  ジャック・エイ・マンデルマン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-262171
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139376
出願日： 1996年10月02日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】 2つのスペーサの交差によって形成されるサブリソグラフィ・イメージを形成する方法および構造を提供する。【解決手段】 実質上垂直な側壁を有する選択的にエッチング可能な材料の第1のパターン135を有する基板100を準備する。第1の側壁スペーサ145は、第1のパターン材料に対して選択的にエッチング可能な材料から形成する。第1のパターンと交差する選択的にエッチング可能な材料の第2のパターン148を形成する。第2のパターンの側壁も実質上垂直である。第2の側壁スペーサ150は、第2のパターン材料に対して選択的にエッチング可能な材料から形成する。第2のパターン材料をエッチングして第2の側壁スペーサを残す。あるいは、第1のパターン材料または第2のパターン材料をすべて除去したり、適所に残したり、平坦化することができる。

請求項（抜粋）：

実質上垂直な側壁を有する選択的にエッチング可能な材料の第1のパターンを基板上に設けるステップと、第1のパターン材料に対して選択的にエッチング可能な材料の第1の側壁スペーサを、前記第1のパターン材料の実質上垂直な側壁上に形成するステップと、第1のパターンと交差し、実質上垂直な側壁を有する選択的にエッチング可能な材料の第2のパターンを形成するステップと、第2のパターン材料に対して選択的にエッチング可能な材料の第2の側壁スペーサを、前記第2のパターン材料の実質上垂直な側壁上に形成するステップと、第2のパターン材料をエッチングして、前記第2の側壁スペーサを残すステップとを含む、基板上にイメージを形成する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/46 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 21/306 A ,  H01L 21/46 ,  H01L 27/10 625 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• サブリソグラフ式エッチングマスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-204330   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト