特許
J-GLOBAL ID：200903043404320250

サブリソグラフ式エッチングマスクの製造方法

発明者：
マルチン ケルバー

マルチン ケルバー について


出願人/特許権者：
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト

シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト について


代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-204330
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036105
出願日： 1996年07月15日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【課題】 特に小さいパターンを持つサブリソグラフ式エッチングマスクの製造方法を提供する。【解決手段】 高い集積密度を持つ半導体製品におけるパターン形成のためのサブリソグラフ式エッチングマスクの製造方法において、スペーサ技術による連続的な工程で互いに直角なラインが設けられる。種々のエッチング工程によって、極めて小さいエッチングマスクの、ラインの交差点によって形成された格子が得られる。
請求項（抜粋）：
高い集積密度を持つ半導体製品におけるサブリソグラフ式エッチングマスクの製造方法において、(a)半導体基板(1)上に酸化物膜(2)及びその上にシリコン膜(3)が形成され、(b)シリコン膜(3)上に補助膜(4)が施され、(c)この補助膜(4)はトラック状にパターン化され、(d)パターン化された補助膜(4)の側面(6)に第1のスペーサ(7)が形成され、(e)補助膜(4)が除去され、(f)シリコン膜(3)がマスクとして第1のスペーサ(7)を使用して部分的に除去され、(g)第1のスペーサ(7)が除去され、それによりその位置にシリコン膜(3)の高くされた領域が残され、(h)別の補助膜が施されて同様にトラック状にパターン化され、この第2のトラック(8)は工程(c)でパターン化された第1のトラック(5)とは異なる方向に向けられてこれと交差するようにし、(i)第2のスペーサ(9)を用いて工程(d)〜(g)と類似の繰り返しが行われ、その際シリコン膜(3)の高くされた領域と第2のスペーサとの間に高くされた交差領域(10)が形成され、工程(f)でシリコン膜がマスクとして第2のスペーサを使用して完全に除去され、(j)第2のスペーサ(9)の下に予め存在し工程(f)で既に部分的に除去されたシリコン膜(3)は、高くされた交差領域の外側の領域が完全に除去されて高くされた交差領域(10)からは一部が残されるように除去され、(k)シリコン膜(3)の下に位置する酸化物膜がマスクとして高くされた交差領域(10)を使用してパターン化され、(l)このようにエッチングされた酸化物膜(2)が本来のパターン形成用のエッチングマスクとして利用される、ことを特徴とするサブリソグラフ式エッチングマスクの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  G03F 7/00
FI (2件)：
H01L 21/302 J ,  G03F 7/00
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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