特許

J-GLOBAL ID：200903090530364300

成膜方法

発明者： 田岡 恵 ,  有賀 美知雄
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-317022
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150041
出願日： 1996年11月13日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 基板との密着性を確保しつつ、微細な立体構造へのアルミニウム材料の埋め込みを改善する。【解決手段】 基板上(60)にチタン(62)及び窒化チタン(64)を形成した後アルミニウム材料の膜(70)を形成する成膜方法において、アルミニウム材料の形成の前に、チタンアルミニウム(TiAlX )の層(68)を基板上に形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、チタンの下地層(Ti下地層)又はチタン層と窒化チタン層とを備える下地層(Ti/TiN下地層)の、いずれか1つの第1の下地層を形成した後、アルミニウム材料の層を形成する成膜方法において、アルミニウム材料の形成の前に、チタンとアルミニウムとの合金(TiAlX )の層からなる第2の下地層を前記基板上の前記第1の下地層の上に形成することを特徴とする成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/28 301 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-017338
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-322675   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-017338