特許
J-GLOBAL ID:200903090551147090
非単結晶太陽電池
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山口 巖 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-146411
公開番号(公開出願番号):特開2002-343991
出願日: 2001年05月16日
公開日(公表日): 2002年11月29日
要約:
【要約】【課題】 p型あるいはn型不純物および材料ガスに含まれる元素のi層への拡散を防止し、発電効率の向上を図った非単結晶太陽電池を提供する。【解決手段】 基板(例えばガラス基板)1主面上に、第一電極(例えば金属電極)2と、非単結晶からなるp型またはn型の第一導電型層(例えばn型μc-Siの第一導電型層)3と、実質的に真性な微結晶または微結晶合金からなるi層(例えば真性μc-Siのi層)4と、非晶質からなる界面層(例えばa-Siの界面層)10と、非単結晶からなり前記第一導電型層と逆のn型またはp型の第二導電型層(例えばp型μc-Siの第二導電型層)5と、第二電極(例えばITOからなる透明電極)6とを順次積層してなるものとする。
請求項(抜粋):
基板主面上に、第一電極と、非単結晶からなるp型またはn型の第一導電型層と、実質的に真性な微結晶または微結晶合金からなるi層と、非晶質からなる界面層と、非単結晶からなり前記第一導電型層と逆のn型またはp型の第二導電型層と、第二電極とを順次積層してなることを特徴とする非単結晶太陽電池。
IPC (2件):
FI (4件):
H01L 21/205
, H01L 31/04 B
, H01L 31/04 L
, H01L 31/04 N
Fターム (14件):
5F045AB03
, 5F045AB04
, 5F045CA13
, 5F045DA61
, 5F051AA04
, 5F051AA05
, 5F051BA18
, 5F051CA05
, 5F051CA15
, 5F051DA04
, 5F051FA04
, 5F051GA02
, 5F051GA03
, 5F051GA05
引用特許:
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