特許

J-GLOBAL ID：200903090555650463

pin型受光素子

発明者： 柳沢 昌輝 ,  矢野 浩
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 中野 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-205999
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023173
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 リーク電流の低減に基づいた低暗電流と素子容量の低減による高速応答及び高い受光感度を備えたpin型受光素子を提供する。【解決手段】 InP等からなる半導体基板20上に、SiドープしたGaInAsからなるn型半導体層30、アンドープGaInAsからなるi型半導体層31及びZnドープGaInAsからなるp型半導体層32が順次積層されており、i型半導体層31及びp型半導体層32の周囲はメサ型に形成されており、そのメサ部の周囲にはパッシベーション半導体層40を有している。さらに、p型半導体層32のメサ中央部の受光領域の厚みh2は、その周囲の厚みh1よりも薄くなっている。このような構造のpin型受光素子では、低い暗電流特性を保持しながら、空乏層容量が低減し応答速度が格段に向上する。さらに、p型半導体層32での光吸収が低減され、受光感度も大幅に向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に形成され、第1導電型の不純物をドープして構成された第1の半導体層と、この第1の半導体層上にメサ型に形成され、第1の半導体材料に不純物を故意にドープしないで構成された第2の半導体層と、この第2の半導体層上にメサ型に形成され、前記第1の半導体材料に前記第1導電型とは異なる第2導電型の不純物をドープして構成され、メサ部の中央部が薄く、メサ部周囲の厚みがその中央部よりも厚く形成された第3の半導体層と、前記第1ないし第3の半導体層を覆うように形成され、前記第1の半導体材料よりも大きいバンドギャップエネルギーを有する第2の半導体材料に、不純物を故意にドープしないで構成された第4の半導体層とを備えることを特徴とするpin型受光素子。

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 H

Fターム (10件)：

5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NA04 ,  5F049NA15 ,  5F049NB01 ,  5F049QA02 ,  5F049SE09 ,  5F049SZ12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• pin型受光素子、光電変換回路及び光電変換モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-017730   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開昭61-095580
  
• 特開昭55-033031