半導体薄膜の製造方法と製造装置、及び半導体装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-133848
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323421
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】半導体薄膜素子に用いられる結晶性シリコン膜において、より品質の優れた結晶性シリコン膜を低温で形成する製造方法及びその製造装置と、特性・信頼性に優れた薄膜トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る半導体薄膜の製造方法と製造装置は、原料ガスを放電分解して発生したプラズマの電子密度が1010〜1013個/cm3であり、前記プラズマ中のイオン及びラジカルを基板に照射して薄膜を形成する工程と、加熱触媒によって活性化された原料ガスを前記基板表面に直接もしくは前記プラズマによって分解して照射する工程により前記基板上に結晶性の半導体薄膜を形成する。また、本発明に係る半導体装置は、以上の工程で得られた得られた結晶性の半導体薄膜を活性層とすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ガス導入口、真空排気口に接続された真空容器内に、半導体薄膜の構成元素を含む原料を加熱触媒を具備した前記ガス導入口を通して導入する工程と、前記真空容器内において前記加熱触媒によって活性化された原料を減圧下で放電分解して発生したプラズマの電子密度が1010〜1013個/cm3であり、前記プラズマ中のイオン及びラジカルを、基板に照射して薄膜を形成する工程により前記基板上に結晶性の半導体薄膜を形成することを特徴とする、半導体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 B , H05H 1/46 A

Fターム (44件)：

4K030AA06 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030BA24 , 4K030BA29 , 4K030BB01 , 4K030BB03 , 4K030BB04 , 4K030CA01 , 4K030CA06 , 4K030DA02 , 4K030EA03 , 4K030FA01 , 4K030FA02 , 4K030FA04 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030JA20 , 4K030KA25 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 4K030LA18 , 5F045AA08 , 5F045AA09 , 5F045AA10 , 5F045AA16 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AF07 , 5F045BB08 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F045DA68 , 5F045DP03 , 5F045DP04 , 5F045EB02 , 5F045EH11

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-256969 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭63-224217
特開昭63-234517

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