特許
J-GLOBAL ID：200903081523415811
半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-256969
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082705
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【目的】 有機シランを用いた成膜において、成膜された炭素の含有量を減少させ、半導体の特性の向上と信頼性を向上させる。【構成】 半導体装置の製造において、各種絶縁膜を有機シランを用いて成膜する際に、その成膜中に水素ラジカルや水素イオンを添加することで成膜中の炭素を、CHX やCOHのごときガスにして、成膜中の炭素を減少させる。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD法または常圧CVD法によって有機シラン系のソースと、酸素あるいは酸素から形成したオゾンなどのソース、を少なくとも含んだ気体を用いて加熱した基板に酸化膜を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記酸化膜の成膜中に水素を添加して、前記水素を水素ラジカルとなして酸化膜を成膜する、または、前記酸化膜を成膜する工程中に、水素を水素ラジカルとなしてから添加して酸化膜を成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316
, H01L 21/31
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/316 X
, H01L 21/31 C
, H01L 29/78 617 V
, H01L 29/78 627 E
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)
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