特許
J-GLOBAL ID：200903090591178746
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-215985
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083785
出願日： 1994年09月09日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 製造工程が簡単でかつ特性の良い半導体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1上の導電膜をレジストパターン9をマスクとしてエッチングしてゲート電極3を形成する。このとき、CHF3やHBrなどのガスをエッチングガスに混ぜることにより、レジストパターン9およびゲート電極3の側壁にデポジション膜6が堆積する。【効果】 サイドウォールを簡単に形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の膜を形成する工程と、上記第1の膜上にエッチングマスクを形成する工程と、上記エッチングマスクを用いて上記第1の膜を異方的にエッチングして第1の膜パターンを形成するとともに、上記エッチングマスクおよび第1の膜パターンの側壁にエッチング生成物からなる堆積膜を形成する工程とを備え、上記エッチングマスクおよび第1の膜パターンと上記堆積膜とをマスクとして利用するようにした半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/302 F
, H01L 21/302 J
, H01L 29/78 301 L
