不揮発性メモリへのデータ保存方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩野平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-041485
公開番号（公開出願番号）：特開2000-250820
出願日： 2000年02月18日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】消去可能で追記書き込み可能な不揮発性メモリへ可変データを記憶する。【解決手段】セグメント化された少なくとも2つのフラッシュメモリセグメント106,108,110を使用する。1つのメモリセグメント106の使用可能領域がほとんどないときまたはそのメモリセグメント106に誤りあるときに、最新の値が新メモリセグメント108に書き込まれる。初期化をしている間、関係する全変数が既定値と共にRAM104に書き込まれる。使用中のフラッシュメモリセグメント108は、最古のエントリから最新のエントリまで逐次読み出され、フラッシュメモリ108からの値はRAM104の値を上書きするために使用される。RAM104は全ての変数に対する最新値を保持する。新メモリセグメント108が書き込まれる場合、その新メモリセグメント108はRAM104からの値を使用して書き込まれる。

請求項（抜粋）：

消去可能であるが上書き不能な不揮発性メモリ(106,108,110)にデータを保存する方法であって、(a)前記データ用の揮発性メモリ内の記憶領域を定義するステップ(204)と、(b)前記データが変化するとき、前記揮発性メモリ内にデータを上書きし、前記不揮発性メモリの第1消去可能部分に前記データの新しいバージョンを書き込むステップと、(c)前記不揮発性メモリの前記第1部分がほとんどフルかどうかを判断するステップ(222)と、(d)前記不揮発性メモリの前記第1部分がほとんどフルであると判断されたとき、前記揮発性メモリから前記不揮発性メモリの第2消去可能部分に前記データをコピーするステップ(234)と、を有することを特徴とする不揮発性メモリへのデータ保存方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-264334 出願人：ノキアモービルフォーンズリミテッド
特開昭61-201356
特開昭61-201356

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