特許
J-GLOBAL ID：200903090595115765
多重ピーク共鳴トンネルダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-243284
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204504
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】希望する電流電圧特性を有する、多重ピーク共鳴トンネルダイオードを提供することを目的とする。【構成】予め定められた断面積の共鳴トンネルダイオードと予め定められた抵抗値とを有する直列抵抗器とを基層に対して垂直に積み重ねて、複数の垂直半導体構造を構築する。これらの垂直半導体構造を互いに並列に接続した際に、最終的に希望する電流電圧特性が得られるように、それぞれの垂直半導体構造の断面積および直列抵抗値とを変える。
請求項（抜粋）：
多重ピーク共鳴トンネルダイオード素子であって、第一の予め定められた断面積と第一の予め定められた抵抗値の直列抵抗器とを有する共鳴トンネルダイオードを含む第一の垂直半導体構造と、前記第一の垂直半導体構造から離れて配置され、第二の予め定められた断面積と第二の予め定められた抵抗値の直列抵抗器とを有する共鳴トンネルダイオードを含む少なくともひとつの別の垂直半導体構造とを含み、前記垂直半導体構造の前記予め定められたダイオード断面積と直列抵抗値とが、前記垂直半導体構造のそれぞれのピーク電流およびピーク電圧のうちのいずれかを予め定めた値だけ変化させるようなそれぞれの値を有し、前記垂直半導体構造が互いに並列接続されてなる、多重ピーク共鳴トンネルダイオード素子。
引用特許：
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