半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-318785
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154482
出願日： 1997年11月19日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】イオンドーピングにおいて低ドーズ量での制御性と安定性を高める。【解決手段】プラズマソース8にて生成されたイオンを取り出すための加速電極3に、ビーム電流密度を下げるための切換電極9を重ね配置する。切換電極9には加速電極3に設けられた微孔よりも小さな微孔が設けられており、切換電極9を平行移動して両電極3,9の微孔を一致させることにより、取り出されるビーム電流密度を小さくすることができる。イオンビーム濃度を下げることなく注入時間を長くすることができるので、注入時間を調整することにより注入量を制御することができ、ドーピングの均一性と安定性が達成される。

請求項（抜粋）：

目的の不純物を少なくとも含む原料に高周波電界を印加して前記不純物をイオン化し、前記高周波電界の外部に備えられ第1の微孔を多数有した単数または複数の第1の電極により前記不純物のイオンに電界を与え、前記不純物のイオンを含んだイオンビームを所定の方向に取り出して目標の基板へ照射することにより、前記基板上の半導体層に前記不純物を所定量注入する半導体装置の製造方法において、前記第1の電極とともに、前記第1の微孔よりも径の小さな第2の微孔を有した第2の電極が備えられ、前記第2の微孔を少なくとも通過したイオンビームは、その電流密度が前記半導体層に注入すべき量を注入時間により制御可能な範囲に小さくされた状態で照射されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01J 37/317 , G02F 1/13 101 , G02F 1/136 500 , H01L 21/265 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01J 37/317 C , G02F 1/13 101 , G02F 1/136 500 , H01L 21/265 F , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 616 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

イオン源
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-306968 出願人：日新電機株式会社
特開昭62-296351
特開昭62-296351

前のページに戻る