特許
J-GLOBAL ID：200903090603902283
半導体基板の処理薬液及び半導体基板の薬液処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-283744
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121419
出願日： 1997年10月16日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 薬液処理能力が安定し、半導体装置の歩留まり、信頼性が向上でき、薬液の使用量を抑制でき、コスト削減も可能な半導体基板の処理薬液および半導体基板の薬液処理方法を提供する。【解決手段】 第四級アンモニウム水酸化物、オゾンを含有し、OH- 濃度が10-5〜10-3mol/lであり、オゾン濃度が10-5mol/l以上であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第四級アンモニウム水酸化物、オゾンを含有し、OH- 濃度が10-5〜10-3mol/lであり、オゾン濃度が10-5mol/l以上であることを特徴とする半導体基板の処理薬液。
IPC (4件)：
H01L 21/304 341
, C11D 7/26
, C11D 7/32
, H01L 21/308
H01L 21/304 341 L
, C11D 7/26
, C11D 7/32
, H01L 21/308 G
